Nomor Produk Pabrikan:
IPN60R360PFD7SATMA1
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IPN60R360PFD7SATMA1-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Deskripsi Detail:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3-1
Inventaris:
13573 Pcs Baru Asli Tersedia
12810864
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IPN60R360PFD7SATMA1 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
CoolMOS™PFD7
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
600 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
360mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 140µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
12.7 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
534 pF @ 400 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
7W (Tc)
Suhu Operasional
-40°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PG-SOT223-3-1
Paket / Kasus
TO-261-3
Nomor Produk Dasar
IPN60R
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
448-IPN60R360PFD7SATMA1CT
SP004038250
448-IPN60R360PFD7SATMA1DKR
448-IPN60R360PFD7SATMA1TR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IMZA65R048M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
IPD60R280PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
IMW65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
