IPP023N08N5AKSA1
Nomor Produk Pabrikan:

IPP023N08N5AKSA1

Product Overview

Produsen:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Nomor Bagian:

IPP023N08N5AKSA1-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Deskripsi Detail:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Inventaris:

367 Pcs Baru Asli Tersedia
12805804
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

IPP023N08N5AKSA1 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tube
Seri
OptiMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
80 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
6V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.8V @ 208µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
166 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
12100 pF @ 40 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
300W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO220-3
Paket / Kasus
TO-220-3
Nomor Produk Dasar
IPP023

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
50
Nama lain
IPP023N08N5AKSA1-DG
2156-IPP023N08N5AKSA1
448-IPP023N08N5AKSA1
SP001132482

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
infineon-technologies

IPW65R190E6FKSA1

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3

infineon-technologies

IRFP260NPBF

MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC

infineon-technologies

IRFS7440PBF

MOSFET N CH 40V 120A D2PAK

infineon-technologies

IRF630NSPBF

MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK