Nomor Produk Pabrikan:
IPP041N12N3GXKSA1
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IPP041N12N3GXKSA1-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Deskripsi Detail:
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventaris:
569 Pcs Baru Asli Tersedia
12803539
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IPP041N12N3GXKSA1 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tube
Seri
OptiMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
120 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 270µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
13800 pF @ 60 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
300W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO220-3
Paket / Kasus
TO-220-3
Nomor Produk Dasar
IPP041
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data
Informasi Tambahan
Paket Standar
50
Nama lain
SP000652746
IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G-DG
IPP041N12N3GXKSA1-DG
448-IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3G
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IRFR3303TR
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
IPB320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
IRFHM8329TRPBF
MOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN
