Nomor Produk Pabrikan:
IPP111N15N3GXKSA1
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IPP111N15N3GXKSA1-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Deskripsi Detail:
N-Channel 150 V 83A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventaris:
3898 Pcs Baru Asli Tersedia
13064062
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IPP111N15N3GXKSA1 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tube
Seri
OptiMOS™
Kemasan
Tube
Status Bagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
150 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
83A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
8V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
11.1mOhm @ 83A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 160µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3230 pF @ 75 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
214W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO220-3
Paket / Kasus
TO-220-3
Nomor Produk Dasar
IPP111
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data
Informasi Tambahan
Paket Standar
50
Nama lain
IPP111N15N3GXKSA1-ND
IPP111N15N3 G-ND
IPP111N15N3G
SP000677860
IPP111N15N3 G
448-IPP111N15N3GXKSA1
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IRF7580MTRPBF
MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET
IPD90R1K2C3BTMA1
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
IPA65R125C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10A TO220-FP
