Nomor Produk Pabrikan:
IPS135N03LGAKMA1
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IPS135N03LGAKMA1-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
Deskripsi Detail:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
Inventaris:
12803268
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IPS135N03LGAKMA1 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
-
Seri
OptiMOS™
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
30 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1000 pF @ 15 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
31W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO251-3-11
Paket / Kasus
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
1,500
Nama lain
IPS135N03LGIN-DG
SP000788220
SP000257455
IPS135N03L G
IPS135N03LGIN
IPS135N03LGXK
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IPD65R650CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3
IPA65R1K0CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
IRF2804STRRPBF
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
