Beranda
Produk
Produsen
Tentang DiGi
Hubungi Kami
Blog dan Postingan
RFQ/Quote
Indonesia
Masuk
Bahasa Pilihan
Bahasa saat ini yang Anda pilih:
Indonesia
Beralih:
Inggris
Eropa
Inggris
DR Kongo
Argentina
Turki
Rumania
Lithuania
Norwegia
Austria
Angola
Slovakia
ltaly
Finlandia
Belarus
Bulgaria
Denmark
Estonia
Polandia
Ukraina
Slovenia
Ceko
Yunani
Kroasia
Israel
Montenegro
Rusia
Belgia
Swedia
Serbia dan Montenegro
Basque
Islandia
Bosnia
Hongaria
Moldova
Jerman
Belanda
Irlandia
Asia / Pasifik
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Jepang
Hongkong
Taiwan
Singapura
Pakistan
Arab Saudi
Qatar
Kuwait
Kamboja
Myanmar
Afrika, India dan Timur Tengah
Uni Emirat Arab
Tajikistan
Madagaskar
India
Iran
Prancis
Afrika Selatan
Mesir
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisia
Amerika Selatan / Oseania
Selandia Baru
Portugal
Brasil
Mozambik
Peru
Kolombia
Cile
Venezuela
Ekuador
Bolivia
Uruguay
Spanyol
Paraguay
Australia
Amerika Utara
Amerika Serikat
Haiti
Kanada
Kosta Rika
Meksiko
Tentang DiGi
Tentang Kami
Tentang Kami
Sertifikasi Kami
DiGi Pengenalan
Mengapa DiGi
Kebijakan
Kebijakan Kualitas
Syarat Penggunaan
Kepatuhan RoHS
Proses Pengembalian
Sumber Daya
Kategori Produk
Produsen
Blog dan Postingan
Layanan
Jaminan Kualitas
Cara Pembayaran
Pengiriman Global
Tarif Pengiriman
Pertanyaan yang Sering Diajukan
Nomor Produk Pabrikan:
IPW65R190E6FKSA1
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IPW65R190E6FKSA1-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3
Deskripsi Detail:
N-Channel 650 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Inventaris:
RFQ Online
12805806
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
*
Perusahaan
*
Nama Kontak
*
Telepon
*
E-mail
Alamat Pengiriman
Pesan
(
*
) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IPW65R190E6FKSA1 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
-
Seri
CoolMOS™
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
650 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 730µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1620 pF @ 100 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
151W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO247-3-1
Paket / Kasus
TO-247-3
Nomor Produk Dasar
IPW65R
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
IPx65R190E6
Lembar Data HTML
IPW65R190E6FKSA1-DG
Lembaran Data
IPW65R190E6FKSA1
Informasi Tambahan
Paket Standar
240
Nama lain
IPW65R190E6-DG
2156-IPW65R190E6FKSA1-IT
IPW65R190E6
INFINFIPW65R190E6FKSA1
SP000863906
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
STW28N60DM2
PEMBUAT
STMicroelectronics
JUMLAH YANG TERSEDIA
0
DiGi NOMOR BAGIAN
STW28N60DM2-DG
HARGA SATUAN
1.76
JENIS PENGGANTI
MFR Recommended
NOMOR BAGIAN
FCH190N65F-F155
PEMBUAT
onsemi
JUMLAH YANG TERSEDIA
415
DiGi NOMOR BAGIAN
FCH190N65F-F155-DG
HARGA SATUAN
2.95
JENIS PENGGANTI
MFR Recommended
NOMOR BAGIAN
STW30N80K5
PEMBUAT
STMicroelectronics
JUMLAH YANG TERSEDIA
0
DiGi NOMOR BAGIAN
STW30N80K5-DG
HARGA SATUAN
4.39
JENIS PENGGANTI
MFR Recommended
NOMOR BAGIAN
TK20N60W,S1VF
PEMBUAT
Toshiba Semiconductor and Storage
JUMLAH YANG TERSEDIA
15
DiGi NOMOR BAGIAN
TK20N60W,S1VF-DG
HARGA SATUAN
2.83
JENIS PENGGANTI
MFR Recommended
NOMOR BAGIAN
STW24N60M2
PEMBUAT
STMicroelectronics
JUMLAH YANG TERSEDIA
562
DiGi NOMOR BAGIAN
STW24N60M2-DG
HARGA SATUAN
1.39
JENIS PENGGANTI
MFR Recommended
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IRFP260NPBF
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
IRFS7440PBF
MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
IRF630NSPBF
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150V 33A DPAK