Nomor Produk Pabrikan:
IQE013N04LM6CGSCATMA1
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IQE013N04LM6CGSCATMA1-DG
Deskripsi:
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Deskripsi Detail:
N-Channel 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2.5W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount PG-WHTFN-9-1
Inventaris:
5940 Pcs Baru Asli Tersedia
13001607
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IQE013N04LM6CGSCATMA1 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
OptiMOS™ 6
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
40 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
31A (Ta), 205A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.35mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 51µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3800 pF @ 20 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
2.5W (Ta), 107W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PG-WHTFN-9-1
Paket / Kasus
9-PowerWDFN
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
6,000
Nama lain
448-IQE013N04LM6CGSCATMA1DKR
SP005559058
448-IQE013N04LM6CGSCATMA1CT
448-IQE013N04LM6CGSCATMA1TR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
JANSR2N7591U3
RH MOSFET _ U3
IPB95R450PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3
G04P10HE
MOSFET P-CH ESD 100V 4A SOT-223
