Nomor Produk Pabrikan:
IRF3205ZPBFAKSA1
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IRF3205ZPBFAKSA1-DG
Deskripsi:
TRENCH 40<-<100V
Deskripsi Detail:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-904
Inventaris:
13269512
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IRF3205ZPBFAKSA1 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tube
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
55 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 66A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3450 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
170W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Derajat
-
Kualifikasi
-
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO220-3-904
Paket / Kasus
TO-220-3
Informasi Tambahan
Paket Standar
1,000
Nama lain
SP005724919
448-IRF3205ZPBFAKSA1
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IPB70N10S3L12ATMA2
MOSFET_(75V 120V(
IMW65R007M2HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IPP034N08N5XKSA1
TRENCH 40<-<100V