Nomor Produk Pabrikan:
IRF5210L
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IRF5210L-DG
Deskripsi:
MOSFET P-CH 100V 40A TO262
Deskripsi Detail:
P-Channel 100 V 40A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
Inventaris:
12804313
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IRF5210L Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
-
Seri
HEXFET®
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
100 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
60mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2700 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-262
Paket / Kasus
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
50
Nama lain
*IRF5210L
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
RoHS non-compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IRF3710ZSPBF
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
IPW80R290C3AFKSA1
MOSFET N-CH 800V TO247
IRF9Z34NL
MOSFET P-CH 55V 19A TO262