Nomor Produk Pabrikan:
IRFB3207PBF
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IRFB3207PBF-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
Deskripsi Detail:
N-Channel 75 V 170A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaris:
12803146
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IRFB3207PBF Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tube
Seri
HEXFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
75 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
7600 pF @ 50 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
330W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-220AB
Paket / Kasus
TO-220-3
Nomor Produk Dasar
IRFB3207
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
100
Nama lain
SP001572410
IFEINFIRFB3207PBF
2156-IRFB3207PBF
*IRFB3207PBF
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
MIC94050YM4-TR
MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT-143
IRFU9N20D
MOSFET N-CH 200V 9.4A IPAK
IPDD60R125G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10
