IRFB3307PBF
Nomor Produk Pabrikan:

IRFB3307PBF

Product Overview

Produsen:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Nomor Bagian:

IRFB3307PBF-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Deskripsi Detail:
N-Channel 75 V 130A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventaris:

491 Pcs Baru Asli Tersedia
12818395
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

IRFB3307PBF Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tube
Seri
HEXFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
75 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 150µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
5150 pF @ 50 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
200W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-220AB
Paket / Kasus
TO-220-3
Nomor Produk Dasar
IRFB3307

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
100
Nama lain
2156-IRFB3307PBF
IRFB3307PBF-DG
448-IRFB3307PBF
*IRFB3307PBF
SP001555972

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
infineon-technologies

IPI120N04S402AKSA1

MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3

texas-instruments

CSD17308Q3

MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON

infineon-technologies

IRFB4215

MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB

microchip-technology

LND150N3-G-P014

MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3