ISC035N10NM5LF2ATMA1
Nomor Produk Pabrikan:

ISC035N10NM5LF2ATMA1

Product Overview

Produsen:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Nomor Bagian:

ISC035N10NM5LF2ATMA1-DG

Deskripsi:

ISC035N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Deskripsi Detail:
N-Channel 100 V 19A (Ta), 164A (Tc) 3W (Ta), 217W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL

Inventaris:

RFQ Online
13255995
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

ISC035N10NM5LF2ATMA1 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
OptiMOS™ 5
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
100 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
19A (Ta), 164A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.9V @ 115µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
7200 pF @ 50 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
3W (Ta), 217W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PG-TDSON-8 FL
Paket / Kasus
8-PowerTDFN

Informasi Tambahan

Paket Standar
5,000
Nama lain
448-ISC035N10NM5LF2ATMA1TR
448-ISC035N10NM5LF2ATMA1CT
448-ISC035N10NM5LF2ATMA1DKR

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sertifikasi DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Terkait
onsemi

NVBG030N120M3S

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E

onsemi

NVBG070N120M3S

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI

onsemi

NTBLS0D8N08XTXG

MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN

onsemi

NVH4L095N065SC1

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC