Nomor Produk Pabrikan:
ISC0602NLSATMA1
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
ISC0602NLSATMA1-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
Deskripsi Detail:
N-Channel 80 V 14A (Ta), 66A (Tc) 2.5W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Inventaris:
11602 Pcs Baru Asli Tersedia
12965946
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
ISC0602NLSATMA1 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
OptiMOS™ 5
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
80 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
14A (Ta), 66A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
7.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.3V @ 29µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1800 pF @ 40 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
2.5W (Ta), 60W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PG-TDSON-8-6
Paket / Kasus
8-PowerTDFN
Nomor Produk Dasar
ISC0602N
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
5,000
Nama lain
448-ISC0602NLSATMA1CT
SP005430396
448-ISC0602NLSATMA1DKR
448-ISC0602NLSATMA1TR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
NTMFS005P03P8ZT1G
MOSFET P-CH
SIHU7N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
SI7812DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
