Nomor Produk Pabrikan:
SPI80N10L
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SPI80N10L-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Deskripsi Detail:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventaris:
13064307
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SPI80N10L Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
-
Seri
SIPMOS®
Kemasan
Tube
Status Bagian
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
100 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
14mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 2mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4540 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
250W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO262-3-1
Paket / Kasus
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Nomor Produk Dasar
SPI80N
Lembar Data & Dokumen
Lembar Data HTML
Lembaran Data
Informasi Tambahan
Paket Standar
500
Nama lain
SP000014351
SPI80N10LX
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
STD80N10F7
PEMBUAT
STMicroelectronics
JUMLAH YANG TERSEDIA
2500
DiGi NOMOR BAGIAN
STD80N10F7-DG
HARGA SATUAN
0.69
JENIS PENGGANTI
MFR Recommended
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IRLZ24NSPBF
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
SPB18P06PGATMA1
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
SPD07N60C3ATMA1
LOW POWER_LEGACY
