IRF6641TRPBF
Nomor Produk Pabrikan:

IRF6641TRPBF

Product Overview

Produsen:

International Rectifier

DiGi Electronics Nomor Bagian:

IRF6641TRPBF-DG

Deskripsi:

IRF6641 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Deskripsi Detail:
N-Channel 200 V 4.6A (Ta), 26A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ

Inventaris:

720 Pcs Baru Asli Tersedia
12947144
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

IRF6641TRPBF Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Pengemasan
Bulk
Seri
HEXFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
200 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
4.6A (Ta), 26A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
59.9mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.9V @ 150µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2290 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Suhu Operasional
-40°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
DIRECTFET™ MZ
Paket / Kasus
DirectFET™ Isometric MZ
Nomor Produk Dasar
IRF6641

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
IRF6641TRPBF Datasheet

Informasi Tambahan

Paket Standar
150
Nama lain
2156-IRF6641TRPBF-IR
INFIRFIRF6641TRPBF

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Sertifikasi DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Terkait
fairchild-semiconductor

FQU5N60CTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

nxp-semiconductors

PSMN2R6-60PSQ

NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150

fairchild-semiconductor

FCU2250N80Z

MOSFET N-CH 800V 2.6A I-PAK

fairchild-semiconductor

FDB8896

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8