APT34N80B2C3G
Nomor Produk Pabrikan:

APT34N80B2C3G

Product Overview

Produsen:

Microchip Technology

DiGi Electronics Nomor Bagian:

APT34N80B2C3G-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
Deskripsi Detail:
N-Channel 800 V 34A (Tc) 417W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Inventaris:

RFQ Online
13247744
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

APT34N80B2C3G Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Microchip Technology
Pengemasan
Tube
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
800 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
145mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.9V @ 2mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
355 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4510 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
417W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
T-MAX™ [B2]
Paket / Kasus
TO-247-3 Variant
Nomor Produk Dasar
APT34N80

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
APT34N80(B2,L)C3 High-Voltage Power Discretes and Modules

Informasi Tambahan

Paket Standar
30
Nama lain
APT34N80B2C3GMI
APT34N80B2C3GMI-ND

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Terkait
microsemi

APT17N80BC3G

MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3

microchip-technology

APT5010LVRG

MOSFET N-CH 500V 47A TO264

microchip-technology

APT8011JFLL

MOSFET N-CH 800V 51A ISOTOP

microchip-technology

APT30M36LLLG

MOSFET N-CH 300V 84A TO264