Nomor Produk Pabrikan:
2N6796
Product Overview
Produsen:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Nomor Bagian:
2N6796-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 100V 8A TO39
Deskripsi Detail:
N-Channel 100 V 8A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventaris:
13247001
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
2N6796 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Microsemi
Pengemasan
-
Seri
-
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
100 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
6.34 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-39
Paket / Kasus
TO-205AF Metal Can
Informasi Tambahan
Paket Standar
1
Nama lain
2N6796-ND
150-2N6796
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
RoHS non-compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
JANSR2N7380
MOSFET N-CH 100V 14.4A TO257
APTC60DAM35T1G
MOSFET N-CH 600V 72A SP1
APT77N60BC6
MOSFET N-CH 600V 77A TO247
