GAN063-650WSAQ
Nomor Produk Pabrikan:

GAN063-650WSAQ

Product Overview

Produsen:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Nomor Bagian:

GAN063-650WSAQ-DG

Deskripsi:

GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Deskripsi Detail:
N-Channel 650 V 34.5A (Ta) 143W (Ta) Through Hole TO-247-3

Inventaris:

582 Pcs Baru Asli Tersedia
12830466
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

GAN063-650WSAQ Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Nexperia
Pengemasan
Tube
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
650 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
34.5A (Ta)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
60mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 1mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1000 pF @ 400 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
143W (Ta)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-247-3
Paket / Kasus
TO-247-3
Nomor Produk Dasar
GAN063

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
30
Nama lain
1727-8711-6INACTIVE
5202-GAN063-650WSAQTR
1727-8711-6-DG
1727-8711-1INACTIVE
1727-8711-2-DG
1727-8711-1-DG
1727-8711-1
1727-8711-2
2156-GAN063-650WSAQ
GAN063-650WSA
1727-8711-6
1727-GAN063-650WSAQ
934660022127

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
nexperia

PSMN6R0-30YLB,115

MOSFET N-CH 30V 71A LFPAK56

nexperia

BUK7277-55A,118

MOSFET N-CH 55V 18A DPAK

nexperia

PMZ350UPEYL

MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3

infineon-technologies

BSB044N08NN3GXUMA1

MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON