Nomor Produk Pabrikan:
PHB21N06LT,118
Product Overview
Produsen:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Nomor Bagian:
PHB21N06LT,118-DG
Deskripsi:
NOW NEXPERIA PHB21N06LT - 19A, 5
Deskripsi Detail:
N-Channel 55 V 19A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventaris:
978 Pcs Baru Asli Tersedia
12947330
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
PHB21N06LT,118 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
NXP Semiconductors
Pengemasan
Bulk
Seri
TrenchMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
55 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
70mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 1mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
9.4 nC @ 5 V
Vgs (Maks)
±15V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
650 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
56W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
D2PAK
Paket / Kasus
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
739
Nama lain
2156-PHB21N06LT,118
NEXNXPPHB21N06LT,118
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IRF6662TRPBF
IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
PH1030DLSX
POWER MOS
FDPF8N50NZU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
