PMPB33XP,115
Nomor Produk Pabrikan:

PMPB33XP,115

Product Overview

Produsen:

NXP USA Inc.

DiGi Electronics Nomor Bagian:

PMPB33XP,115-DG

Deskripsi:

NOW NEXPERIA PMPB33XP - 5.5A, 20
Deskripsi Detail:
P-Channel 20 V 5.5A (Ta) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN1010B-6

Inventaris:

31498 Pcs Baru Asli Tersedia
12947248
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

PMPB33XP,115 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
NXP Semiconductors
Pengemasan
Bulk
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
20 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
1.8V, 4.5V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
37mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
900mV @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±12V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1575 pF @ 10 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
DFN1010B-6
Paket / Kasus
6-XFDFN Exposed Pad

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
PMPB33xP,115 Datasheet

Informasi Tambahan

Paket Standar
3,206
Nama lain
2156-PMPB33XP,115
NEXNEXPMPB33XP,115

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Terkait
fairchild-semiconductor

HUFA75307T3ST

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FQPF11N50CF

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDD8878

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FQPF10N50CF

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1