Nomor Produk Pabrikan:
2SJ652-1E
Product Overview
Produsen:
onsemi
DiGi Electronics Nomor Bagian:
2SJ652-1E-DG
Deskripsi:
MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG
Deskripsi Detail:
P-Channel 60 V 28A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3SG
Inventaris:
12920749
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
2SJ652-1E Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
onsemi
Pengemasan
-
Seri
-
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
60 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
28A (Ta)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
38mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
-
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4360 pF @ 20 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
2W (Ta), 30W (Tc)
Suhu Operasional
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-220F-3SG
Paket / Kasus
TO-220-3 Full Pack
Nomor Produk Dasar
2SJ652
Informasi Tambahan
Paket Standar
50
Nama lain
2SJ652-1E-DG
2SJ652-1EOS
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SISS42DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 11.8/40.5A PPAK
SUP60030E-GE3
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
SUM110P04-05-E3
MOSFET P-CH 40V 110A TO263
