Nomor Produk Pabrikan:
2SK4125-1E
Product Overview
Produsen:
onsemi
DiGi Electronics Nomor Bagian:
2SK4125-1E-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 600V 17A TO3P-3L
Deskripsi Detail:
N-Channel 600 V 17A (Ta) 2.5W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-3P-3L
Inventaris:
12833268
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
2SK4125-1E Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
onsemi
Pengemasan
-
Seri
-
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
600 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
17A (Ta)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
610mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
-
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1200 pF @ 30 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
2.5W (Ta), 170W (Tc)
Suhu Operasional
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-3P-3L
Paket / Kasus
TO-3P-3, SC-65-3
Nomor Produk Dasar
2SK4125
Informasi Tambahan
Paket Standar
30
Nama lain
ONSONS2SK4125-1E
2156-2SK4125-1E
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
2SK3820-DL-1E
MOSFET N-CH 100V 26A TO263-2
2N7002LT7H
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
2SK3820-DL-E
MOSFET N-CH 100V 26A SMP-FD
