Beranda
Produk
Produsen
Tentang DiGi
Hubungi Kami
Blog dan Postingan
RFQ/Quote
Indonesia
Masuk
Bahasa Pilihan
Bahasa saat ini yang Anda pilih:
Indonesia
Beralih:
Inggris
Eropa
Inggris
Prancis
Spanyol
Turki
Moldova
Lithuania
Norwegia
Jerman
Portugal
Slovakia
ltaly
Finlandia
Rusia
Bulgaria
Denmark
Estonia
Polandia
Ukraina
Slovenia
Ceko
Yunani
Kroasia
Israel
Serbia dan Montenegro
Belarus
Belanda
Swedia
Montenegro
Basque
Islandia
Bosnia
Hongaria
Rumania
Austria
Belgia
Irlandia
Asia / Pasifik
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Jepang
Hongkong
Taiwan
Singapura
Pakistan
Arab Saudi
Qatar
Kuwait
Kamboja
Myanmar
Afrika, India dan Timur Tengah
Uni Emirat Arab
Tajikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Kongo
Afrika Selatan
Mesir
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisia
Amerika Selatan / Oseania
Selandia Baru
Angola
Brasil
Mozambik
Peru
Kolombia
Cile
Venezuela
Ekuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Amerika Utara
Amerika Serikat
Haiti
Kanada
Kosta Rika
Meksiko
Tentang DiGi
Tentang Kami
Tentang Kami
Sertifikasi Kami
DiGi Pengenalan
Mengapa DiGi
Kebijakan
Kebijakan Kualitas
Syarat Penggunaan
Kepatuhan RoHS
Proses Pengembalian
Sumber Daya
Kategori Produk
Produsen
Blog dan Postingan
Layanan
Jaminan Kualitas
Cara Pembayaran
Pengiriman Global
Tarif Pengiriman
Pertanyaan yang Sering Diajukan
Nomor Produk Pabrikan:
2SK4209
Product Overview
Produsen:
onsemi
DiGi Electronics Nomor Bagian:
2SK4209-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 800V 12A TO3PB
Deskripsi Detail:
N-Channel 800 V 12A (Ta) 2.5W (Ta), 190W (Tc) Through Hole TO-3PB
Inventaris:
RFQ Online
12832685
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
*
Perusahaan
*
Nama Kontak
*
Telepon
*
E-mail
Alamat Pengiriman
Pesan
(
*
) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
2SK4209 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
onsemi
Pengemasan
-
Seri
-
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
800 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.08Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 1mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1500 pF @ 30 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
2.5W (Ta), 190W (Tc)
Suhu Operasional
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-3PB
Paket / Kasus
TO-3P-3, SC-65-3
Nomor Produk Dasar
2SK4209
Lembar Data & Dokumen
Lembar Data HTML
2SK4209-DG
Lembaran Data
2SK4209
Informasi Tambahan
Paket Standar
100
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
FQA13N80-F109
PEMBUAT
onsemi
JUMLAH YANG TERSEDIA
76
DiGi NOMOR BAGIAN
FQA13N80-F109-DG
HARGA SATUAN
2.65
JENIS PENGGANTI
Similar
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
2SK3704
MOSFET N-CH 60V 45A TO220ML
BUK7Y3R0-40HX
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
PSMN2R5-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
BUK9509-40B,127
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB