FCB125N65S3
Nomor Produk Pabrikan:

FCB125N65S3

Product Overview

Produsen:

onsemi

DiGi Electronics Nomor Bagian:

FCB125N65S3-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Deskripsi Detail:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 181W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventaris:

800 Pcs Baru Asli Tersedia
12938392
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

FCB125N65S3 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
onsemi
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
SuperFET® III
Status Produk
Not For New Designs
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
650 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
125mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 590µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1940 pF @ 400 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
181W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
TO-263 (D2PAK)
Paket / Kasus
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nomor Produk Dasar
FCB125

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
800
Nama lain
488-FCB125N65S3CT
488-FCB125N65S3TR
488-FCB125N65S3DKR

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Model Alternatif

NOMOR BAGIAN
NVB125N65S3
PEMBUAT
onsemi
JUMLAH YANG TERSEDIA
800
DiGi NOMOR BAGIAN
NVB125N65S3-DG
HARGA SATUAN
1.73
JENIS PENGGANTI
Parametric Equivalent
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
renesas-electronics-america

2SK3900-ZP-E1-AZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

renesas-electronics-america

RJL5012DPP-00#T2

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

NTBG160N120SC1

SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK

sanyo

2SK4085LS-1E

N-CHANNEL SILICON MOSFET