Nomor Produk Pabrikan:
FDFME3N311ZT
Product Overview
Produsen:
onsemi
DiGi Electronics Nomor Bagian:
FDFME3N311ZT-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
Deskripsi Detail:
N-Channel 30 V 1.8A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)
Inventaris:
12850488
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
FDFME3N311ZT Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
onsemi
Pengemasan
-
Seri
PowerTrench®
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
30 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
2.5V, 4.5V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
299mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
1.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±12V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
75 pF @ 15 V
Fitur FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipasi Daya (Maks)
1.4W (Ta)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
6-MicroFET (1.6x1.6)
Paket / Kasus
6-UFDFN Exposed Pad
Nomor Produk Dasar
FDFME3
Lembar Data & Dokumen
Lembar Data HTML
Lembaran Data
Informasi Tambahan
Paket Standar
5,000
Nama lain
FDFME3N311ZT-DG
FDFME3N311ZTTR
FDFME3N311ZTCT
FDFME3N311ZTDKR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
SSM6H19NU,LF
PEMBUAT
Toshiba Semiconductor and Storage
JUMLAH YANG TERSEDIA
54777
DiGi NOMOR BAGIAN
SSM6H19NU,LF-DG
HARGA SATUAN
0.07
JENIS PENGGANTI
Similar
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
HUFA76409D3ST
MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
FDMC86102
MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
FDC5612
MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
