Nomor Produk Pabrikan:
FQA10N80_F109
Product Overview
Produsen:
onsemi
DiGi Electronics Nomor Bagian:
FQA10N80_F109-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P
Deskripsi Detail:
N-Channel 800 V 9.8A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventaris:
12836357
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
FQA10N80_F109 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
onsemi
Pengemasan
-
Seri
QFET®
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
800 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
9.8A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2700 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
240W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-3P
Paket / Kasus
TO-3P-3, SC-65-3
Nomor Produk Dasar
FQA1
Lembar Data & Dokumen
Lembar Data HTML
Lembaran Data
Informasi Tambahan
Paket Standar
450
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
FQI7N60TU
MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
5HN01C-TB-EX
MOSFET N-CH 50V 100MA CP3
FDB120N10
MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK