Nomor Produk Pabrikan:
FQA13N50C-F109
Product Overview
Produsen:
onsemi
DiGi Electronics Nomor Bagian:
FQA13N50C-F109-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
Deskripsi Detail:
N-Channel 500 V 13.5A (Tc) 218W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventaris:
12838434
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
FQA13N50C-F109 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
onsemi
Pengemasan
-
Seri
QFET®
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
500 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
13.5A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
480mOhm @ 6.75A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2055 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
218W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-3P
Paket / Kasus
TO-3P-3, SC-65-3
Nomor Produk Dasar
FQA13
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
450
Nama lain
FQA13N50C_F109
2832-FQA13N50C-F109
FQA13N50C_F109-DG
FQA13N50CF109
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
TK39J60W,S1VQ
PEMBUAT
Toshiba Semiconductor and Storage
JUMLAH YANG TERSEDIA
22
DiGi NOMOR BAGIAN
TK39J60W,S1VQ-DG
HARGA SATUAN
5.38
JENIS PENGGANTI
Similar
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
FQPF2N60
MOSFET N-CH 600V 1.6A TO220F
HUF76432P3
MOSFET N-CH 60V 59A TO220-3
BFL4026-1E
MOSFET N-CH 900V 3.5A TO220F-3FS
