Nomor Produk Pabrikan:
FQA55N10
Product Overview
Produsen:
onsemi
DiGi Electronics Nomor Bagian:
FQA55N10-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 100V 61A TO3P
Deskripsi Detail:
N-Channel 100 V 61A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventaris:
12847522
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
FQA55N10 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
onsemi
Pengemasan
-
Seri
QFET®
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
100 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
61A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
26mOhm @ 30.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±25V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2730 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
190W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-3P
Paket / Kasus
TO-3P-3, SC-65-3
Nomor Produk Dasar
FQA5
Lembar Data & Dokumen
Lembar Data HTML
Lembaran Data
Informasi Tambahan
Paket Standar
450
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
2SK1317-E
PEMBUAT
Renesas Electronics Corporation
JUMLAH YANG TERSEDIA
5608
DiGi NOMOR BAGIAN
2SK1317-E-DG
HARGA SATUAN
3.29
JENIS PENGGANTI
Similar
NOMOR BAGIAN
IXTQ75N10P
PEMBUAT
IXYS
JUMLAH YANG TERSEDIA
3
DiGi NOMOR BAGIAN
IXTQ75N10P-DG
HARGA SATUAN
2.44
JENIS PENGGANTI
Similar
NOMOR BAGIAN
HUF75639G3
PEMBUAT
onsemi
JUMLAH YANG TERSEDIA
415
DiGi NOMOR BAGIAN
HUF75639G3-DG
HARGA SATUAN
1.49
JENIS PENGGANTI
Similar
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
FDMA291P
MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
FDS6064N3
MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
FDS9412A
MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC
