Nomor Produk Pabrikan:
FQA6N80
Product Overview
Produsen:
onsemi
DiGi Electronics Nomor Bagian:
FQA6N80-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 800V 6.3A TO3P
Deskripsi Detail:
N-Channel 800 V 6.3A (Tc) 185W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventaris:
12836737
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
FQA6N80 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
onsemi
Pengemasan
-
Seri
QFET®
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
800 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
6.3A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.95Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
185W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-3P
Paket / Kasus
TO-3P-3, SC-65-3
Nomor Produk Dasar
FQA6
Lembar Data & Dokumen
Lembar Data HTML
Lembaran Data
Informasi Tambahan
Paket Standar
30
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
FDS6575
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
FDS6680S
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
CPH3456-TL-W
MOSFET N-CH 20V 3.5A 3CPH
