FQA6N80
Nomor Produk Pabrikan:

FQA6N80

Product Overview

Produsen:

onsemi

DiGi Electronics Nomor Bagian:

FQA6N80-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 800V 6.3A TO3P
Deskripsi Detail:
N-Channel 800 V 6.3A (Tc) 185W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventaris:

12836737
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

FQA6N80 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
onsemi
Pengemasan
-
Seri
QFET®
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
800 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
6.3A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.95Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
185W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-3P
Paket / Kasus
TO-3P-3, SC-65-3
Nomor Produk Dasar
FQA6

Lembar Data & Dokumen

Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
30

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
onsemi

FDS6575

MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

onsemi

FDS6680S

MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC

onsemi

CPH3456-TL-W

MOSFET N-CH 20V 3.5A 3CPH

onsemi

FDMS8888

MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN