FQD6N60CTM-WS
Nomor Produk Pabrikan:

FQD6N60CTM-WS

Product Overview

Produsen:

onsemi

DiGi Electronics Nomor Bagian:

FQD6N60CTM-WS-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Deskripsi Detail:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventaris:

12847846
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

FQD6N60CTM-WS Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
onsemi
Pengemasan
-
Seri
QFET®
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
600 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
810 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
80W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
TO-252AA
Paket / Kasus
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nomor Produk Dasar
FQD6N60

Lembar Data & Dokumen

Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
2,500
Nama lain
FQD6N60CTM_WS
FQD6N60CTM_WS-DG

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Model Alternatif

NOMOR BAGIAN
IPD60R2K1CEAUMA1
PEMBUAT
Infineon Technologies
JUMLAH YANG TERSEDIA
10286
DiGi NOMOR BAGIAN
IPD60R2K1CEAUMA1-DG
HARGA SATUAN
0.17
JENIS PENGGANTI
Similar
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
onsemi

FQP11N40C

MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220-3

onsemi

FQI4N80TU

MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOW7S60

MOSFET N-CH 600V 7A TO262

onsemi

FQPF30N06

MOSFET N-CH 60V 21A TO220F