Nomor Produk Pabrikan:
FQE10N20LCTU
Product Overview
Produsen:
onsemi
DiGi Electronics Nomor Bagian:
FQE10N20LCTU-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3
Deskripsi Detail:
N-Channel 200 V 4A (Tc) 12.8W (Tc) Through Hole TO-126-3
Inventaris:
12849223
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
FQE10N20LCTU Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
onsemi
Pengemasan
-
Seri
QFET®
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
200 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
360mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
19 nC @ 5 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
490 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
12.8W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-126-3
Paket / Kasus
TO-225AA, TO-126-3
Nomor Produk Dasar
FQE1
Informasi Tambahan
Paket Standar
60
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
FQPF3P50
MOSFET P-CH 500V 1.9A TO220F
FDPF8N50NZ
MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
AON6362
MOSFET N-CH 30V 27A/60A 8DFN
