Beranda
Produk
Produsen
Tentang DiGi
Hubungi Kami
Blog dan Postingan
RFQ/Quote
Indonesia
Masuk
Bahasa Pilihan
Bahasa saat ini yang Anda pilih:
Indonesia
Beralih:
Inggris
Eropa
Inggris
Prancis
Spanyol
Turki
Moldova
Lithuania
Norwegia
Jerman
Portugal
Slovakia
ltaly
Finlandia
Rusia
Bulgaria
Denmark
Estonia
Polandia
Ukraina
Slovenia
Ceko
Yunani
Kroasia
Israel
Serbia dan Montenegro
Belarus
Belanda
Swedia
Montenegro
Basque
Islandia
Bosnia
Hongaria
Rumania
Austria
Belgia
Irlandia
Asia / Pasifik
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Jepang
Hongkong
Taiwan
Singapura
Pakistan
Arab Saudi
Qatar
Kuwait
Kamboja
Myanmar
Afrika, India dan Timur Tengah
Uni Emirat Arab
Tajikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Kongo
Afrika Selatan
Mesir
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisia
Amerika Selatan / Oseania
Selandia Baru
Angola
Brasil
Mozambik
Peru
Kolombia
Cile
Venezuela
Ekuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Amerika Utara
Amerika Serikat
Haiti
Kanada
Kosta Rika
Meksiko
Tentang DiGi
Tentang Kami
Tentang Kami
Sertifikasi Kami
DiGi Pengenalan
Mengapa DiGi
Kebijakan
Kebijakan Kualitas
Syarat Penggunaan
Kepatuhan RoHS
Proses Pengembalian
Sumber Daya
Kategori Produk
Produsen
Blog dan Postingan
Layanan
Jaminan Kualitas
Cara Pembayaran
Pengiriman Global
Tarif Pengiriman
Pertanyaan yang Sering Diajukan
Nomor Produk Pabrikan:
FQI8N60CTU
Product Overview
Produsen:
onsemi
DiGi Electronics Nomor Bagian:
FQI8N60CTU-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
Deskripsi Detail:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventaris:
RFQ Online
12851231
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
*
Perusahaan
*
Nama Kontak
*
Telepon
*
E-mail
Alamat Pengiriman
Pesan
(
*
) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
FQI8N60CTU Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
onsemi
Pengemasan
-
Seri
QFET®
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
600 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1255 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
3.13W (Ta), 147W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-262 (I2PAK)
Paket / Kasus
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Nomor Produk Dasar
FQI8N60
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
FQB8N60C, FQI8N60C
Lembar Data HTML
FQI8N60CTU-DG
Lembaran Data
FQI8N60CTU
Informasi Tambahan
Paket Standar
1,000
Nama lain
2156-FQI8N60CTU-OS
FAIFSCFQI8N60CTU
2832-FQI8N60CTU
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
STI4N62K3
PEMBUAT
STMicroelectronics
JUMLAH YANG TERSEDIA
0
DiGi NOMOR BAGIAN
STI4N62K3-DG
HARGA SATUAN
0.46
JENIS PENGGANTI
Similar
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
FDB8896-F085
MOSFET N-CH 30V 19A/93A TO263AB
FCP220N80
MOSFET N-CH 800V 23A TO220-3
HUF75343P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
FQPF47P06
MOSFET P-CH 60V 30A TO220F