Beranda
Produk
Produsen
Tentang DiGi
Hubungi Kami
Blog dan Postingan
RFQ/Quote
Indonesia
Masuk
Bahasa Pilihan
Bahasa saat ini yang Anda pilih:
Indonesia
Beralih:
Inggris
Eropa
Inggris
DR Kongo
Argentina
Turki
Rumania
Lithuania
Norwegia
Austria
Angola
Slovakia
ltaly
Finlandia
Belarus
Bulgaria
Denmark
Estonia
Polandia
Ukraina
Slovenia
Ceko
Yunani
Kroasia
Israel
Montenegro
Rusia
Belgia
Swedia
Serbia dan Montenegro
Basque
Islandia
Bosnia
Hongaria
Moldova
Jerman
Belanda
Irlandia
Asia / Pasifik
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Jepang
Hongkong
Taiwan
Singapura
Pakistan
Arab Saudi
Qatar
Kuwait
Kamboja
Myanmar
Afrika, India dan Timur Tengah
Uni Emirat Arab
Tajikistan
Madagaskar
India
Iran
Prancis
Afrika Selatan
Mesir
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisia
Amerika Selatan / Oseania
Selandia Baru
Portugal
Brasil
Mozambik
Peru
Kolombia
Cile
Venezuela
Ekuador
Bolivia
Uruguay
Spanyol
Paraguay
Australia
Amerika Utara
Amerika Serikat
Haiti
Kanada
Kosta Rika
Meksiko
Tentang DiGi
Tentang Kami
Tentang Kami
Sertifikasi Kami
DiGi Pengenalan
Mengapa DiGi
Kebijakan
Kebijakan Kualitas
Syarat Penggunaan
Kepatuhan RoHS
Proses Pengembalian
Sumber Daya
Kategori Produk
Produsen
Blog dan Postingan
Layanan
Jaminan Kualitas
Cara Pembayaran
Pengiriman Global
Tarif Pengiriman
Pertanyaan yang Sering Diajukan
Nomor Produk Pabrikan:
FQP630TSTU
Product Overview
Produsen:
onsemi
DiGi Electronics Nomor Bagian:
FQP630TSTU-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
Deskripsi Detail:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaris:
RFQ Online
12846360
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
*
Perusahaan
*
Nama Kontak
*
Telepon
*
E-mail
Alamat Pengiriman
Pesan
(
*
) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
FQP630TSTU Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
onsemi
Pengemasan
-
Seri
QFET®
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
200 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±25V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
550 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
78W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-220-3
Paket / Kasus
TO-220-3
Nomor Produk Dasar
FQP6
Lembar Data & Dokumen
Lembar Data HTML
FQP630TSTU-DG
Lembaran Data
FQP630TSTU
Informasi Tambahan
Paket Standar
50
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
IRF630
PEMBUAT
Harris Corporation
JUMLAH YANG TERSEDIA
11535
DiGi NOMOR BAGIAN
IRF630-DG
HARGA SATUAN
0.80
JENIS PENGGANTI
Similar
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
AOTF2N60
MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3F
AO3407
MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23-3
AON6534
MOSFET N-CH 30V 20A/30A 8DFN
FQP16N25
MOSFET N-CH 250V 16A TO220-3