Beranda
Produk
Produsen
Tentang DiGi
Hubungi Kami
Blog dan Postingan
RFQ/Quote
Indonesia
Masuk
Bahasa Pilihan
Bahasa saat ini yang Anda pilih:
Indonesia
Beralih:
Inggris
Eropa
Inggris
Prancis
Spanyol
Turki
Moldova
Lithuania
Norwegia
Jerman
Portugal
Slovakia
ltaly
Finlandia
Rusia
Bulgaria
Denmark
Estonia
Polandia
Ukraina
Slovenia
Ceko
Yunani
Kroasia
Israel
Serbia dan Montenegro
Belarus
Belanda
Swedia
Montenegro
Basque
Islandia
Bosnia
Hongaria
Rumania
Austria
Belgia
Irlandia
Asia / Pasifik
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Jepang
Hongkong
Taiwan
Singapura
Pakistan
Arab Saudi
Qatar
Kuwait
Kamboja
Myanmar
Afrika, India dan Timur Tengah
Uni Emirat Arab
Tajikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Kongo
Afrika Selatan
Mesir
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisia
Amerika Selatan / Oseania
Selandia Baru
Angola
Brasil
Mozambik
Peru
Kolombia
Cile
Venezuela
Ekuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Amerika Utara
Amerika Serikat
Haiti
Kanada
Kosta Rika
Meksiko
Tentang DiGi
Tentang Kami
Tentang Kami
Sertifikasi Kami
DiGi Pengenalan
Mengapa DiGi
Kebijakan
Kebijakan Kualitas
Syarat Penggunaan
Kepatuhan RoHS
Proses Pengembalian
Sumber Daya
Kategori Produk
Produsen
Blog dan Postingan
Layanan
Jaminan Kualitas
Cara Pembayaran
Pengiriman Global
Tarif Pengiriman
Pertanyaan yang Sering Diajukan
Nomor Produk Pabrikan:
IRLW630ATM
Product Overview
Produsen:
onsemi
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IRLW630ATM-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
Deskripsi Detail:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventaris:
RFQ Online
12835849
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
*
Perusahaan
*
Nama Kontak
*
Telepon
*
E-mail
Alamat Pengiriman
Pesan
(
*
) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IRLW630ATM Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
onsemi
Pengemasan
-
Seri
-
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
200 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
5V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
755 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
3.1W (Ta), 69W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-262 (I2PAK)
Paket / Kasus
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Nomor Produk Dasar
IRLW63
Lembar Data & Dokumen
Lembar Data HTML
IRLW630ATM-DG
Lembaran Data
IRLW630ATM
Informasi Tambahan
Paket Standar
800
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
IRF624SPBF
PEMBUAT
Vishay Siliconix
JUMLAH YANG TERSEDIA
1814
DiGi NOMOR BAGIAN
IRF624SPBF-DG
HARGA SATUAN
0.81
JENIS PENGGANTI
Similar
NOMOR BAGIAN
RCJ120N20TL
PEMBUAT
Rohm Semiconductor
JUMLAH YANG TERSEDIA
33
DiGi NOMOR BAGIAN
RCJ120N20TL-DG
HARGA SATUAN
0.44
JENIS PENGGANTI
Similar
NOMOR BAGIAN
IRFU220PBF
PEMBUAT
Vishay Siliconix
JUMLAH YANG TERSEDIA
2912
DiGi NOMOR BAGIAN
IRFU220PBF-DG
HARGA SATUAN
0.52
JENIS PENGGANTI
Similar
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
FQPF6N80
MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
FDD4685-F085P
MOSFET P-CH 40V 32A TO252
MCP87055T-U/LC
MOSFET N-CH 25V 60A 8PDFN