Nomor Produk Pabrikan:
NTHL022N120M3S
Product Overview
Produsen:
onsemi
DiGi Electronics Nomor Bagian:
NTHL022N120M3S-DG
Deskripsi:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Deskripsi Detail:
N-Channel 1200 V 68A (Tc) 352W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaris:
187 Pcs Baru Asli Tersedia
13376046
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
NTHL022N120M3S Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
onsemi
Pengemasan
Tube
Seri
-
Kemasan
Tube
Status Bagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
1200 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
68A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
18V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
30mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.4V @ 20mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
139 nC @ 18 V
Vgs (Maks)
+22V, -10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3130 pF @ 800 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
352W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-247-3
Paket / Kasus
TO-247-3
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
450
Nama lain
488-NTHL022N120M3S-ND
5556-NTHL022N120M3S
488-NTHL022N120M3S
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
DMN52D0U-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
DMTH45M5SFVW-7
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
DMP31D7LWQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R