NVMFWS2D3P04M8LT1G
Nomor Produk Pabrikan:

NVMFWS2D3P04M8LT1G

Product Overview

Produsen:

onsemi

DiGi Electronics Nomor Bagian:

NVMFWS2D3P04M8LT1G-DG

Deskripsi:

MV8 P INITIAL PROGRAM
Deskripsi Detail:
P-Channel 40 V 31A (Ta), 222A (Tc) 3.8W (Ta), 205W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Inventaris:

12974609
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

NVMFWS2D3P04M8LT1G Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
onsemi
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
40 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
31A (Ta), 222A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.4V @ 2.7mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
157 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
5985 pF @ 20 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
3.8W (Ta), 205W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Derajat
Automotive
Kualifikasi
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Kasus
8-PowerTDFN, 5 Leads

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
1,500
Nama lain
488-NVMFWS2D3P04M8LT1GDKR
488-NVMFWS2D3P04M8LT1GTR
488-NVMFWS2D3P04M8LT1GCT

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Model Alternatif

NOMOR BAGIAN
NVMFS2D3P04M8LT1G
PEMBUAT
onsemi
JUMLAH YANG TERSEDIA
95
DiGi NOMOR BAGIAN
NVMFS2D3P04M8LT1G-DG
HARGA SATUAN
1.45
JENIS PENGGANTI
Parametric Equivalent
NOMOR BAGIAN
RS1G201ATTB1
PEMBUAT
Rohm Semiconductor
JUMLAH YANG TERSEDIA
7266
DiGi NOMOR BAGIAN
RS1G201ATTB1-DG
HARGA SATUAN
1.12
JENIS PENGGANTI
Similar
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
panjit

PJMD990N65EC_L2_00001

650V SUPER JUNCITON MOSFET

panjit

PJQ4465AP_R2_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

inventchip-technology

IV1Q12160T4

SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24

onsemi

NVMFS005N10MCLT1G

PTNG 100V LL SO8FL