PJD3NA50_L2_00001
Nomor Produk Pabrikan:

PJD3NA50_L2_00001

Product Overview

Produsen:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Nomor Bagian:

PJD3NA50_L2_00001-DG

Deskripsi:

500V N-CHANNEL MOSFET
Deskripsi Detail:
N-Channel 500 V 3A (Ta) 34W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventaris:

RFQ Online
12974368
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

PJD3NA50_L2_00001 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
PANJIT
Pengemasan
-
Seri
-
Status Produk
Not For New Designs
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
500 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
6.5 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
260 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
34W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
TO-252
Paket / Kasus
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nomor Produk Dasar
PJD3NA50

Informasi Tambahan

Paket Standar
3,000
Nama lain
3757-PJD3NA50_L2_00001TR
3757-PJD3NA50_L2_00001CT
3757-PJD3NA50_L2_00001DKR

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Terkait
vishay-siliconix

SISS588DN-T1-GE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM10N954L,EFF

COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13

panjit

PJW5N06A-AU_R2_000A1

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ4441P-AU_R2_000A1

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M