PJP12NA60_T0_00001
Nomor Produk Pabrikan:

PJP12NA60_T0_00001

Product Overview

Produsen:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Nomor Bagian:

PJP12NA60_T0_00001-DG

Deskripsi:

600V N-CHANNEL MOSFET
Deskripsi Detail:
N-Channel 600 V 12A (Ta) 225W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventaris:

12997396
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

PJP12NA60_T0_00001 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
PANJIT
Pengemasan
-
Seri
-
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
600 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
700mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1492 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
225W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-220AB
Paket / Kasus
TO-220-3
Nomor Produk Dasar
PJP12

Informasi Tambahan

Paket Standar
2,000
Nama lain
3757-PJP12NA60_T0_00001CT-DG
3757-PJP12NA60_T0_00001TR
3757-PJP12NA60_T0_00001TR-DG
3757-PJP12NA60_T0_00001
3757-PJP12NA60_T0_00001CT
3757-PJP12NA60_T0_00001DKRINACTIVE
3757-PJP12NA60_T0_00001CTINACTIVE

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
vishay-siliconix

SIHB055N60EF-GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

littelfuse

IXTH60N20X4

MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-247

vishay-siliconix

SIDR402EP-T1-RE3

N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SIHK055N60E-T1-GE3

E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1