Nomor Produk Pabrikan:

QJD1210SA1

Product Overview

Produsen:

Powerex Inc.

DiGi Electronics Nomor Bagian:

QJD1210SA1-DG

Deskripsi:

SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE

Deskripsi Detail:

Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A 520W Chassis Mount Module

Inventaris:

RFQ Online

12841161

Minta Penawaran

Kuantitas
Minimum 1

(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam

KIRIM

QJD1210SA1 Spesifikasi Teknis

Kategori

FET, MOSFET, FET, Array MOSFET

Produsen

Powerex

Pengemasan

-

Seri

-

Status Produk

Obsolete

Teknologi

Silicon Carbide (SiC)

Konfigurasi

2 N-Channel (Dual)

Fitur FET

-

Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C

100A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

17mOhm @ 100A, 15V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1.6V @ 34mA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

330nC @ 15V

Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds

8200pF @ 10V

Daya - Maks

520W

Suhu Operasional

-40°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Chassis Mount

Paket / Kasus

Module

Paket Perangkat Pemasok

Module

Nomor Produk Dasar

QJD1210

Lembar Data & Dokumen

Lembar Data HTML

Lembaran Data

Lembar data

QJD1210SA1 Preliminary Datasheet Next Generation Power Semiconductors Brief

Informasi Tambahan

Paket Standar

1

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Sertifikasi DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produk Terkait

onsemi

NVMFD5C478NWFT1G

MOSFET 2N-CH 40V 9.8A/27A 8DFN

onsemi

MCH6662-TL-H

MOSFET 2N-CH 20V 2A 6MCPH

onsemi

NTHD3102CT1G

MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET

onsemi

MMDF2C03HDR2

MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC