Nomor Produk Pabrikan:
R6006JND3TL1
Product Overview
Produsen:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Nomor Bagian:
R6006JND3TL1-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Deskripsi Detail:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventaris:
12 Pcs Baru Asli Tersedia
12850600
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
R6006JND3TL1 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
ROHM Semiconductor
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
600 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
15V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
936mOhm @ 3A, 15V
Vgs(th) (Maks) @ Id
7V @ 800µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
15.5 nC @ 15 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
410 pF @ 100 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
86W (Tc)
Suhu Operasional
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
TO-252
Paket / Kasus
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nomor Produk Dasar
R6006
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
2,500
Nama lain
846-R6006JND3TL1TR
846-R6006JND3TL1DKR
846-R6006JND3TL1CT
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
IPD80R1K2P7ATMA1
PEMBUAT
Infineon Technologies
JUMLAH YANG TERSEDIA
14924
DiGi NOMOR BAGIAN
IPD80R1K2P7ATMA1-DG
HARGA SATUAN
0.40
JENIS PENGGANTI
MFR Recommended
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
FDN361BN
MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3
R6006KND3TL1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252
FDP8442
MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
