RDN080N25FU6
Nomor Produk Pabrikan:

RDN080N25FU6

Product Overview

Produsen:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Nomor Bagian:

RDN080N25FU6-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
Deskripsi Detail:
N-Channel 250 V 8A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220FN

Inventaris:

RFQ Online
13527307
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
k0ok
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

RDN080N25FU6 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
ROHM Semiconductor
Pengemasan
-
Seri
-
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
250 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
500mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 1mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
543 pF @ 10 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
35W (Tc)
Suhu Operasional
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-220FN
Paket / Kasus
TO-220-3 Full Pack
Nomor Produk Dasar
RDN080

Informasi Tambahan

Paket Standar
500

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Model Alternatif

NOMOR BAGIAN
IRF634PBF
PEMBUAT
Vishay Siliconix
JUMLAH YANG TERSEDIA
6636
DiGi NOMOR BAGIAN
IRF634PBF-DG
HARGA SATUAN
0.67
JENIS PENGGANTI
Similar
Sertifikasi DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Terkait
rohm-semi

R5007ANX

MOSFET N-CH 500V 7A TO220FM

rohm-semi

RSR030N06TL

MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3

rohm-semi

RD3U040CNTL1

MOSFET N-CH 250V 4A TO252

rohm-semi

RCX700N20

MOSFET N-CH 200V 70A TO220FM