Nomor Produk Pabrikan:
RS1E350BNTB
Product Overview
Produsen:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Nomor Bagian:
RS1E350BNTB-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
Deskripsi Detail:
N-Channel 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventaris:
810 Pcs Baru Asli Tersedia
13526606
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
RS1E350BNTB Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
ROHM Semiconductor
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
30 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
35A (Ta), 80A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 1mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
7900 pF @ 15 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
3W (Ta), 35W (Tc)
Suhu Operasional
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
8-HSOP
Paket / Kasus
8-PowerTDFN
Nomor Produk Dasar
RS1E
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
2,500
Nama lain
RS1E350BNTBTR
RS1E350BNTBCT
RS1E350BNTBDKR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
RS1E350BNTB1
PEMBUAT
Rohm Semiconductor
JUMLAH YANG TERSEDIA
2425
DiGi NOMOR BAGIAN
RS1E350BNTB1-DG
HARGA SATUAN
1.19
JENIS PENGGANTI
Parametric Equivalent
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
RD3P200SNFRATL
MOSFET N-CH 100V 20A TO252
RQ6E030SPTR
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
RRQ030P03TR
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
