SCT3080ALGC11
Nomor Produk Pabrikan:

SCT3080ALGC11

Product Overview

Produsen:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SCT3080ALGC11-DG

Deskripsi:

SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Deskripsi Detail:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 134W (Tc) Through Hole TO-247N

Inventaris:

1587 Pcs Baru Asli Tersedia
13524212
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SCT3080ALGC11 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
ROHM Semiconductor
Pengemasan
Tube
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
650 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
18V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
104mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5.6V @ 5mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
48 nC @ 18 V
Vgs (Maks)
+22V, -4V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
571 pF @ 500 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
134W (Tc)
Suhu Operasional
175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-247N
Paket / Kasus
TO-247-3
Nomor Produk Dasar
SCT3080

Lembar Data & Dokumen

Dokumen Keandalan
MOS-3GTHD Reliability Test
Sumber Daya Desain
TO-247N Inner Structure
Lembar data
SCT3080ALGC11 TO-247N Taping Spec

Informasi Tambahan

Paket Standar
30

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Terkait
rohm-semi

R6009JND3TL1

MOSFET N-CH 600V 9A TO252

rohm-semi

RF4E060AJTCR

MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8

rohm-semi

QS5U28TR

MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5

rohm-semi

RCD080N25TL

MOSFET N-CH 250V 8A CPT3