Nomor Produk Pabrikan:
SCT3120ALGC11
Product Overview
Produsen:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SCT3120ALGC11-DG
Deskripsi:
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Deskripsi Detail:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N
Inventaris:
6940 Pcs Baru Asli Tersedia
13526426
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SCT3120ALGC11 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
ROHM Semiconductor
Pengemasan
Tube
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
650 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
18V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
156mOhm @ 6.7A, 18V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5.6V @ 3.33mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
38 nC @ 18 V
Vgs (Maks)
+22V, -4V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
460 pF @ 500 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
103W (Tc)
Suhu Operasional
175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-247N
Paket / Kasus
TO-247-3
Nomor Produk Dasar
SCT3120
Lembar Data & Dokumen
Dokumen Keandalan
Sumber Daya Desain
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
30
Nama lain
Q12567120
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
RTM002P02T2L
MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
RW1C025ZPT2CR
MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT
RSJ250P10FRATL
MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
