SCT3120ALHRC11
Nomor Produk Pabrikan:

SCT3120ALHRC11

Product Overview

Produsen:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SCT3120ALHRC11-DG

Deskripsi:

SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Deskripsi Detail:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 103W Through Hole TO-247N

Inventaris:

2250 Pcs Baru Asli Tersedia
13526631
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SCT3120ALHRC11 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
ROHM Semiconductor
Pengemasan
Tube
Seri
-
Status Produk
Not For New Designs
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
650 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
18V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
156mOhm @ 6.7A, 18V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5.6V @ 3.33mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
38 nC @ 18 V
Vgs (Maks)
+22V, -4V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
460 pF @ 500 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
103W
Suhu Operasional
175°C (TJ)
Derajat
Automotive
Kualifikasi
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-247N
Paket / Kasus
TO-247-3
Nomor Produk Dasar
SCT3120

Lembar Data & Dokumen

Lembar data

Informasi Tambahan

Paket Standar
30

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Model Alternatif

NOMOR BAGIAN
SIHG22N60E-GE3
PEMBUAT
Vishay Siliconix
JUMLAH YANG TERSEDIA
498
DiGi NOMOR BAGIAN
SIHG22N60E-GE3-DG
HARGA SATUAN
1.88
JENIS PENGGANTI
Similar
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
rohm-semi

RUF025N02FRATL

MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3

rohm-semi

R6003KND3TL1

MOSFET N-CH 600V 3A TO252

rohm-semi

RSS090N03FU6TB

MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

rohm-semi

RQ3E150BNTB

MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT