Nomor Produk Pabrikan:
SCT3120ALHRC11
Product Overview
Produsen:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SCT3120ALHRC11-DG
Deskripsi:
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Deskripsi Detail:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 103W Through Hole TO-247N
Inventaris:
2250 Pcs Baru Asli Tersedia
13526631
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SCT3120ALHRC11 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
ROHM Semiconductor
Pengemasan
Tube
Seri
-
Status Produk
Not For New Designs
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
650 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
18V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
156mOhm @ 6.7A, 18V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5.6V @ 3.33mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
38 nC @ 18 V
Vgs (Maks)
+22V, -4V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
460 pF @ 500 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
103W
Suhu Operasional
175°C (TJ)
Derajat
Automotive
Kualifikasi
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-247N
Paket / Kasus
TO-247-3
Nomor Produk Dasar
SCT3120
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
30
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
SIHG22N60E-GE3
PEMBUAT
Vishay Siliconix
JUMLAH YANG TERSEDIA
498
DiGi NOMOR BAGIAN
SIHG22N60E-GE3-DG
HARGA SATUAN
1.88
JENIS PENGGANTI
Similar
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
RUF025N02FRATL
MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
R6003KND3TL1
MOSFET N-CH 600V 3A TO252
RSS090N03FU6TB
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
