Beranda
Produk
Produsen
Tentang DiGi
Hubungi Kami
Blog dan Postingan
RFQ/Quote
Indonesia
Masuk
Bahasa Pilihan
Bahasa saat ini yang Anda pilih:
Indonesia
Beralih:
Inggris
Eropa
Inggris
Prancis
Spanyol
Turki
Moldova
Lithuania
Norwegia
Jerman
Portugal
Slovakia
ltaly
Finlandia
Rusia
Bulgaria
Denmark
Estonia
Polandia
Ukraina
Slovenia
Ceko
Yunani
Kroasia
Israel
Serbia dan Montenegro
Belarus
Belanda
Swedia
Montenegro
Basque
Islandia
Bosnia
Hongaria
Rumania
Austria
Belgia
Irlandia
Asia / Pasifik
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Jepang
Hongkong
Taiwan
Singapura
Pakistan
Arab Saudi
Qatar
Kuwait
Kamboja
Myanmar
Afrika, India dan Timur Tengah
Uni Emirat Arab
Tajikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Kongo
Afrika Selatan
Mesir
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisia
Amerika Selatan / Oseania
Selandia Baru
Angola
Brasil
Mozambik
Peru
Kolombia
Cile
Venezuela
Ekuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Amerika Utara
Amerika Serikat
Haiti
Kanada
Kosta Rika
Meksiko
Tentang DiGi
Tentang Kami
Tentang Kami
Sertifikasi Kami
DiGi Pengenalan
Mengapa DiGi
Kebijakan
Kebijakan Kualitas
Syarat Penggunaan
Kepatuhan RoHS
Proses Pengembalian
Sumber Daya
Kategori Produk
Produsen
Blog dan Postingan
Layanan
Jaminan Kualitas
Cara Pembayaran
Pengiriman Global
Tarif Pengiriman
Pertanyaan yang Sering Diajukan
Nomor Produk Pabrikan:
SCT50N120
Product Overview
Produsen:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SCT50N120-DG
Deskripsi:
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Deskripsi Detail:
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™
Inventaris:
RFQ Online
12874195
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
*
Perusahaan
*
Nama Kontak
*
Telepon
*
E-mail
Alamat Pengiriman
Pesan
(
*
) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SCT50N120 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
STMicroelectronics
Pengemasan
Tube
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
1200 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
20V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
69mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3V @ 1mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
122 nC @ 20 V
Vgs (Maks)
+25V, -10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1900 pF @ 400 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
318W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 200°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
HiP247™
Paket / Kasus
TO-247-3
Nomor Produk Dasar
SCT50
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
SCT50N120
Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver
Informasi Tambahan
Paket Standar
30
Nama lain
-1138-SCT50N120
497-16598-5
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
G3R40MT12D
PEMBUAT
GeneSiC Semiconductor
JUMLAH YANG TERSEDIA
1725
DiGi NOMOR BAGIAN
G3R40MT12D-DG
HARGA SATUAN
12.88
JENIS PENGGANTI
Similar
NOMOR BAGIAN
MSC040SMA120B
PEMBUAT
Microchip Technology
JUMLAH YANG TERSEDIA
61
DiGi NOMOR BAGIAN
MSC040SMA120B-DG
HARGA SATUAN
16.98
JENIS PENGGANTI
Similar
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
STB45N50DM2AG
MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK
STH400N4F6-2
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
STB36NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
STI42N65M5
MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK