Nomor Produk Pabrikan:
SCTH40N120G2V-7
Product Overview
Produsen:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SCTH40N120G2V-7-DG
Deskripsi:
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Deskripsi Detail:
N-Channel 1200 V 36A (Tc) 238W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Inventaris:
12950592
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SCTH40N120G2V-7 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
STMicroelectronics
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
1200 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
18V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.9V @ 1mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
61 nC @ 18 V
Vgs (Maks)
+22V, -10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1233 pF @ 800 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
238W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
H2PAK-7
Nomor Produk Dasar
SCTH40
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
1,000
Nama lain
497-SCTH40N120G2V-7TR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
DMTH6016LFDFWQ-13
MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
SIR580DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
DMN26D0UFB4-7
MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN
