STB6N65M2
Nomor Produk Pabrikan:

STB6N65M2

Product Overview

Produsen:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Nomor Bagian:

STB6N65M2-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK
Deskripsi Detail:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventaris:

12877379
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

STB6N65M2 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
STMicroelectronics
Pengemasan
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seri
MDmesh™
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
650 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.35Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±25V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
226 pF @ 100 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
60W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
TO-263 (D2PAK)
Paket / Kasus
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nomor Produk Dasar
STB6N

Lembar Data & Dokumen

Informasi Tambahan

Paket Standar
1,000
Nama lain
-497-15047-6
497-15047-6
-497-15047-1
-497-15047-2
497-15047-1
497-15047-2

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Model Alternatif

NOMOR BAGIAN
IXFA7N80P
PEMBUAT
IXYS
JUMLAH YANG TERSEDIA
257
DiGi NOMOR BAGIAN
IXFA7N80P-DG
HARGA SATUAN
1.67
JENIS PENGGANTI
Similar
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
stmicroelectronics

STW12N170K5

MOSFET N-CH 1700V 5A TO247

stmicroelectronics

STP8NK80Z

MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB

stmicroelectronics

STL23NM50N

MOSFET N-CH 500V 2.8A PWRFLT 8X8

stmicroelectronics

STP36NF06L

MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB