Nomor Produk Pabrikan:
STI30NM60N
Product Overview
Produsen:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Nomor Bagian:
STI30NM60N-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Deskripsi Detail:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventaris:
12877705
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
STI30NM60N Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
STMicroelectronics
Pengemasan
-
Seri
MDmesh™ II
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
600 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
130mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2700 pF @ 50 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
190W (Tc)
Suhu Operasional
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-262 (I2PAK)
Paket / Kasus
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Nomor Produk Dasar
STI30N
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
50
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
IPI60R125CPXKSA1
PEMBUAT
Infineon Technologies
JUMLAH YANG TERSEDIA
490
DiGi NOMOR BAGIAN
IPI60R125CPXKSA1-DG
HARGA SATUAN
3.00
JENIS PENGGANTI
Similar
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
STI16N65M5
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
STF18N60M2
N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ.,
STF26N60DM6
MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
