Nomor Produk Pabrikan:
2SK3906(Q)
Product Overview
Produsen:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Nomor Bagian:
2SK3906(Q)-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
Deskripsi Detail:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 150W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventaris:
12891357
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
iwG0
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
2SK3906(Q) Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pengemasan
-
Seri
-
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
600 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
330mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 1mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4250 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
150W (Tc)
Suhu Operasional
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-3P(N)
Paket / Kasus
TO-3P-3, SC-65-3
Nomor Produk Dasar
2SK3906
Informasi Tambahan
Paket Standar
50
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
TPH1R712MD,L1Q
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
TK5A65DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220SIS
TPHR9003NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
